机译:In In [下标0.30] Ga [下标0.70]的异质外延生长作为200 mm硅衬底上的高电子迁移率晶体管使用变质梯度缓冲
机译:使用变质梯度缓冲液在200 mm硅衬底上异质外延生长In0.30Ga0.70As高电子迁移率晶体管
机译:采用不同缓冲层配置的200mm硅(111)基板上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的研究
机译:在200 mm硅(111)衬底上均匀生长AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:生长温度对Ge-on-insulator(GeOI)衬底上变质In0.70Ga0.30As / In0.53Al0.47As平面晶体管的梯度InxAl1-xAs / GaAs缓冲的影响
机译:在变质砷化镓衬底上,长波长光电探测器和高电子迁移率晶体管的单片集成。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:使用变质级配缓冲器在200mm硅衬底上异质外延生长In0.30Ga0.70as高电子迁移率晶体管